图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:551425 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:14078 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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#3 |
数量:30433 |
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最小起订量:25 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
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| 规格书 |
 NST3906F3T5G |
| 文档 |
Wire Bond 01/Dec/2010 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Wire Bond Change 01/Dec/2010 |
| 标准包装 | 8,000 |
| 晶体管类型 | PNP |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 200mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 40V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 400mV @ 5mA, 50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 100 @ 10mA, 1V |
| 功率 - 最大 | 290mW |
| 频率转换 | 250MHz |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SOT-1123 |
| 供应商器件封装 | SOT-1123 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3SOT-1123 |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 40 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.2 A |
| 最小直流电流增益 | 60@0.1mA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1V |
| 最大工作频率 | 250(Typ) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.25@1mA@10mA|0.4@5mA@50mA V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 347 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 集电极最大直流电流 | 0.2 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOT-1123 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 347 |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| Maximum Transition Frequency | 250(Typ) |
| 封装 | Tape and Reel |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 40 |
| 供应商封装形式 | SOT-1123 |
| 最大集电极发射极电压 | 40 |
| 铅形状 | Flat |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 200mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 250MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 400mV @ 5mA, 50mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 40V |
| 供应商设备封装 | SOT-1123 |
| 功率 - 最大 | 290mW |
| 封装/外壳 | SOT-1123 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 100 @ 10mA, 1V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | NST3906F3T5GOSCT |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 增益带宽产品fT | 250 MHz |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 60 at 0.1 mA at 1 V, 80 at 1 mA at 1 V, 100 at 10 mA at 1 V, 60 at 50 mA at 1 V, 30 at 100 mA at 1 V |
| 直流电流增益hFE最大值 | 60 at 0.1 mA at 1 V |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 40 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 系列 | NST3906F3T5G |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 身高 | 0.37 mm |
| 长度 | 0.6 mm |
| Pd - Power Dissipation | 347 mW |
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